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常見(jiàn)問(wèn)題

晶間腐蝕試驗(yàn)常見(jiàn)技術(shù)分析

發(fā)布時(shí)間:2018/06/25

  晶間腐蝕是金屬在適宜的腐蝕環(huán)境中沿著或緊挨著材料的晶粒間界發(fā)生和發(fā)展的局部腐蝕破壞形態(tài)。

  晶間腐蝕從金屬材料表面開(kāi)始,沿著晶界向內(nèi)部發(fā)展,使晶粒間的結(jié)合力喪失,以致材料的強(qiáng)度幾乎完全消失。例如,經(jīng)受這種腐蝕的不銹鋼材料,外表雖然還十分光亮,但輕輕敲擊可能碎成細(xì)粉。因此,晶間腐蝕是一種危害性很大的局部腐蝕。

  晶間腐蝕的產(chǎn)生必須具備兩個(gè)條件:

 ?、倬Ы缥镔|(zhì)的物理化學(xué)狀態(tài)與晶粒不同;

 ?、谔囟ǖ沫h(huán)境因素。

  晶間腐蝕常在不銹鋼、鎳基合金、銅合金等合金上發(fā)生,主要在焊接接頭上或經(jīng)一定熱處理后使用時(shí)發(fā)生。

  晶間腐蝕不僅導(dǎo)致材料的承載能力降低,而且誘發(fā)晶間型應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂,或引發(fā)點(diǎn)腐蝕。

  晶間腐蝕的根本原因是晶粒間界及其附近區(qū)域與晶粒內(nèi)部存在電化學(xué)上的不均勻性,這種不均勻性是金屬材料在熔煉、焊接和熱處理等過(guò)程中造成的。

  例如:①晶界析出第二相,造成晶界某一合金成分的貧乏化;

 ?、诰Ы缥龀鲆子诟g的陽(yáng)極相;

 ?、垭s質(zhì)與溶質(zhì)原子在晶界區(qū)偏析;

 ?、芫Ы鐓^(qū)原子排列雜亂,位錯(cuò)密度高;

 ?、菪孪辔龀龌蜣D(zhuǎn)變,造成晶界處較大的內(nèi)應(yīng)力。這些原因均可能構(gòu)成特定體系的晶間腐蝕機(jī)理模型。

  總之,當(dāng)某種介質(zhì)與金屬所共同決定的電位下,晶界的溶解電流密度遠(yuǎn)大于晶粒本身的溶解電流密度時(shí),便可產(chǎn)生晶間腐蝕。

  本文由晶間腐蝕試驗(yàn)設(shè)備http://www.iopify.com/products/qita/544.html 收集整理,僅供參考,不具有本文版權(quán)!

  晶間腐蝕是金屬在適宜的腐蝕環(huán)境中沿著或緊挨著材料的晶粒間界發(fā)生和發(fā)展的局部腐蝕破壞形態(tài)。

  晶間腐蝕從金屬材料表面開(kāi)始,沿著晶界向內(nèi)部發(fā)展,使晶粒間的結(jié)合力喪失,以致材料的強(qiáng)度幾乎完全消失。例如,經(jīng)受這種腐蝕的不銹鋼材料,外表雖然還十分光亮,但輕輕敲擊可能碎成細(xì)粉。因此,晶間腐蝕是一種危害性很大的局部腐蝕。

  晶間腐蝕的產(chǎn)生必須具備兩個(gè)條件:

 ?、倬Ы缥镔|(zhì)的物理化學(xué)狀態(tài)與晶粒不同;

  ②特定的環(huán)境因素。

  晶間腐蝕常在不銹鋼、鎳基合金、銅合金等合金上發(fā)生,主要在焊接接頭上或經(jīng)一定熱處理后使用時(shí)發(fā)生。

  晶間腐蝕不僅導(dǎo)致材料的承載能力降低,而且誘發(fā)晶間型應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂,或引發(fā)點(diǎn)腐蝕。

  晶間腐蝕的根本原因是晶粒間界及其附近區(qū)域與晶粒內(nèi)部存在電化學(xué)上的不均勻性,這種不均勻性是金屬材料在熔煉、焊接和熱處理等過(guò)程中造成的。

  例如:①晶界析出第二相,造成晶界某一合金成分的貧乏化;

 ?、诰Ы缥龀鲆子诟g的陽(yáng)極相;

 ?、垭s質(zhì)與溶質(zhì)原子在晶界區(qū)偏析;

 ?、芫Ы鐓^(qū)原子排列雜亂,位錯(cuò)密度高;

 ?、菪孪辔龀龌蜣D(zhuǎn)變,造成晶界處較大的內(nèi)應(yīng)力。這些原因均可能構(gòu)成特定體系的晶間腐蝕機(jī)理模型。

  總之,當(dāng)某種介質(zhì)與金屬所共同決定的電位下,晶界的溶解電流密度遠(yuǎn)大于晶粒本身的溶解電流密度時(shí),便可產(chǎn)生晶間腐蝕。

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